Studentiem un darbiniekiemMecenātiemMedijiemAbsolventiem

Termoelektriski nanomateriāli/topoloģiski dielektriķi efektīvākai siltuma zudumu pārveidei lietderīgā enerģijā

Projekta nosaukums: Termoelektriski nanomateriāli/topoloģiski dielektriķi efektīvākai siltuma zudumu pārveidei lietderīgā enerģijā
Projekta līguma numurs: 1.1.1.1/16/A/257
Projekta partneris: Rīgas Tehniskā universitāte
Projekta īstenošanas termiņš: 01.03.2017.- 29.02.2020.
Projekta kopējais finansējums: EUR 648 185.45, LU daļa EUR 431 985,45
Projekta zinātniskais vadītājs: vadošais pētnieks, Dr.chem. Asoc.prof. Donāts Erts
Projekta administratīvais vadītājs: Signe Laimiņa-Koka
Projekta mērķis: Tehnoloģiju izstrāde TE materiālu ar vislabāko sniegumu istabas temperatūrā (Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Te3 kā arī pseido-binārieo savienojumu M2X2Y (M=Bi or Sb, X and Y=S, Se or Te)) efektīvākam salīdzinājumā ar eksistējošām komerciāli pieejamām tehnoloģijām pielietojumam, un uz izstrādātas tehnoloģijas balstīto jauno produktu (TE nanomateriālus saturošie polimēru kompozītmateriāli, siltuma konversijas lietderīgā enerģijā ierīču prototipi) izstrāde, sekmējot TE materiālu un iekārtu nozares attīstību, un perspektīvā palielinot saimniecisko un industriālo procesu energoefektivitāti.

Projekta galvenie rezultāti u.c. informācija par projekta īstenošanu:

5 jauno tehnoloģiju prototipi; 3 izstrādāti laboratorijas vidē TE ierīču prototipi; 8 zinātniskie raksti, kas tiks iesniegti publicēšanai žurnālos vai konferenču rakstu krājumos, kuru citēšanas indekss sasniedz vismaz 50 procentus no nozares vidējā citēšanas indeksa, Web of Science vai SCOPUS (A vai B) datubāzēs iekļautos žurnālos vai konferenču rakstu krājumos, 1 patenta pieteikums.

 

Projekta aktualitātes:

01.03.2017.-31.08.2017.

Projekta ietvaros veikta nanostrukturētu bismuta selenīda pārklājumu un atsevišķu nanostruktūru sintēze uz dažādām pamatnēm, noteiktas to elektriskās un termoelektriskās īpašības. Notiek pārklājumu morfoloģijas atkarības no sintēzes parametriem un augšanas mehānismiem izpēte. Veikti pirmie eksperimenti ultraplāna bismuta selenīda sintēzē uz standarta virsmām. 4 referāti par projekta rezultātiem tika prezentētas 3 starptautiskās konferencēs:

1. M. Baitimirova, J. Andzane, K. Buks, K. Bieza, D. Erts. Obtaining of different types of bismuth selenide nanostructures by vapour‐solid deposition. International conference "Functional Materials and Nanotechnologies 2017", 24-27 April, 2017, Tartu, Estonia

2. K. Bieza, J. Andzane, R. Poplausks, M. Marnauza, D. Erts. Methods for obtaining ultrathin bismuth selenide nanostructures. International conference "Functional Materials and Nanotechnologies 2017", 24-27 April, 2017, Tartu, Estonia

3. M. Baitimirova, J. Andzane, R. Poplausks, M. Romanova, D. Erts. Graphene/Bismuth selenide heterostructures for thermoelectric applications. International conference "Trends in Nanotechnology, TNT-2017", 5-9 June, 2017, Dresden, Germany

4. J. Andzane, G. Kunakova, M. Baitimirova, M. Marnauza, F. Lombardi, D. Erts. Different Types of Bismuth Selenide Nanostructures for Targeted Applications: Synthesis and Properties. 19th International Conference on Nanoscience and Technology, 17-18 August, 2017, Barcelona, Spain

01.09.2017.-30.11.2017.

Noteiktas iepriekšējā periodā sintezēto ultraplānu bismuta selenīda pārklājumu elektriskās un termoelektriskās īpašības. Turpinās tehnoloģijas izstrāde identisku ultraplānu bismuta selenīda pārklājumu iegūšanai uz dažādām virsmām, sintezēto pārklājumu īpašību noteikšana un salīdzināšana ar biezāku parklājumu īpašībām. Veikti pirmie eksperimenti bismuta selenīda pārklājumu dopēšanā. Ir sagatavots zinātniskā raksta par nanostrukturētu bismuta selenīda pārklājumu un atsevišķu nanostruktūru sintēzi uz dažādām pamatnēm manuskripts.

01.12.2017.-28.02.2018.

Raksts “Substrate- and synthesis related variations in morphology, electronic and thermoelectrical properties of Bi2Se3 nanostructures deposited by catalyst-free vapour-solid technique”, autori J. Andzane, K. Buks, M. Zubkins, M. Baitimirova, M. Romanova, K. Bieza, M. Marnauza, M. Bechelany un D. Erts, ir iesniegts zinātniskajā žurnālā. Turpinās bismuta selenīda pārklājumu dopēšanas eksperimenti, mainot dopantu veidu un koncentrāciju. Notiek dopētu pārklājumu virsmas morfoloģijas, elektrisku, un termoelektrisku īpašību mērījumi. Veikti pirmie veiksmīgie bismuta selenīda pārklājumu noņemšanas no standarta virsmas un mehāniskās pārneses eksperimenti. Iesāktas secīgas sintēzes uz standarta virsmām – uz bismuta selenīda pārklājuma tiek sintezēts bismuta telurīds. Projekta tekošie rezultāti prezentēti 76. Starptautiskā LU konferencē 3 mutiskos referātos:

1. J. Andžāne, G. Kunakova, M. Baitimirova, K. Buks, M. Zubkins, K. Šmits, D. Erts. “Bismuta selenīda nanostruktūru sintēze un pielietojumi”

2. M. N. Strakova, L. Švinka, K. Buks, J. Andžāne, D. Erts “Dažādās koncentrācijās Sb dopētu Bi2Se3 pārklājumu un nanovadu iegūšana”

3. E. Kauranens, M. Sjomkane, M. Baitimirova, P. Anšics, J. Andžāne, D. Erts “Ultraplānu Bi2Se3 pārklājumu iegūšana uz dažādām virsmām”

01.03.2018.-31.05.2018.

Noteikta eksperimentālo datu apstrāde un analīze visefektīvāko dopantu koncentrāciju bismuta selenīda pārklājumos noteikšanai. Turpināts eksperimenti ar secīgām bismuta selenīds/bismuta telurīds sintēzēm. Notiek  secīgi sintezētu pārklājumu virsmas morfoloģijas, elektrisku, un termoelektrisku īpašību mērījumi un rezultātu salīdzinājums ar pārklājumiem, sintezētiem tikai no bismuta selenīda un bismuta telurīda. Ir parādīts, ka secīgi sintezētam bismuta selenīds/bismuta telurīds pārklājumam ir lielākā termoelektriskā efektivitāte salīdzinājumā ar tīri bismuta selenīda vai bismuta telurīda pārklājumiem. Notiek eksperimentāls darbs pie bismuta selenīda un bismuta telurīda sintēzes uz oglekļa alotropiem. 

01.06.2018. – 31.08.2018.

Zinātniskais raksts “Structure-determined thermoelectric properties of Bi2Se3 thin films deposited by vapour-solid technique” (autori J. Andzane, K. Buks, M. Zubkins, M. Bechelany, M. Marnauza, M. Baitimirova, D. Erts) ir iesniegts publicēšanai IEEE konferences krājumā (IEEE Conference proceedings).

Turpinās eksperimentālais darbs pie bismuta halkogenīdu sintēzes uz oglekļa alotropiem, mainot izejvielu un substrāta tipu.  Notiek sagatavoto paraugu struktūras izpēte ar elektronu un atomspēku mikroskopijas metodēm, datu analīze un apkopojums zinātniskajam rakstam. Turpinās plānu kārtiņu dopēšanas eksperimenti, pielietojot magnētiskus dopantus.

Projekta tekošie rezultāti tika prezentēti vairākās starptautiskās konferencēs:

1. J. Andžāne, K. Buks, E. Kauranens, M. N. Strakova, M. Sjomkāne, L. Švinka, P. Anšics, A. Nečiporenko, D. Erts “Nanotehnoloģiju pielietojums bismuta halkogenīdu termoelektriskās efektivitātes uzlabošanai”, IV Pasaules latviešu zinātnieku kongress, Rīga, Latvija, 18.-20.06.2018., stenda referāts

2. J. Andzane, K. Buks, M. Baitimirova, D. Erts “Vapour-solid deposition and enhanced thermoelectric properties of nanostructured bismuth selenide films”, 18. IEEE Starptautiskā Nanotehnoloģiju Konference IEEE Nano 2018, Korka, Īrija, 23.-26.07.2018., mutiskais referāts.

3. M. Sjomkane, L. Shvinka, P. Ansics, R. Meija, J. Andzane, D. Erts “Environmental Stability of Bismuth Chalcogenide Thin Films with Different Thickness and Morphology”, 20. Starptautiskā Progresīvo materiālu un Tehnologiju konference-skola AMT2018, Palanga, Lietuva, 27.-31.08.2018., stenda referāts

4. K. Buks, E. Kauranens, K. Smits, J. Bitenieks, J. Zicans, D. Erts, J. Andzane “Thermo-photoelectrical properties of CNTs coated with Bi2Se3 nanostructures”, 20. Starptautiskā Progresīvo materiālu un Tehnologiju konference-skola AMT2018, Palanga, Lietuva, 27.-31.08.2018., stenda referāts

5. M. N. Strakova, J. Andzane, G. Kunakova, F. Lombardi, D. Erts “Tuning of Topological and Thermoelectric Properties of Bi2Se3 Nanoribbons and Thin Films by Specific Doping”, 20. Starptautiskā Progresīvo materiālu un Tehnologiju konference-skola AMT2018, Palanga, Lietuva, 27.-31.08.2018., stenda referāts

01.09.2018. – 30.11.2018.

Izanalizēti un apkopoti eksperimentālie dati par bismuta selenīda plānu kārtiņu izgulsnēšanas procesa sākuma stadijām uz ar dažādām metodēm iegūtām grafēna pamatnēm, izvēlētas piemērotas ultraplānu bismuta selenīda kārtiņu izgulsnēšanai grafēna pamatnes.

Apkopoti eksperimentālie dati par ar nemagnētiskiem elementiem dopētu bismuta selenīda plānu kārtiņu fizikālām īpašībām, tiek izstrādāta metode kontrolētai plānu kārtiņu mazu (zem 3%) koncentrāciju dopēšanai. Notiek izstrādātas  kontrolētas bismuta selenīda plānu kārtiņu dopēšanas ar magnētiskiem elementiem sintēzes laikā metodes testēšana un kalibrācija. 

Atkarībā no relatīvā mitruma, notiek dažādu morfoloģiju bismuta selenīda plānu kārtiņu stabitātes izpēte.

Projekta pašreizējie rezultāti apkopoti iesniegtajos zinātniskajos rakstos, kā arī prezentēti konferencēs:

1. Zinātniskais raksts “Effect of graphene substrate type on formation of Bi2Se3 nanoplates” (autori J.Andžāne, L. Britāla, E. Kauranens, A. Nečiporenko, M. Baitimirova, S. Lara-Avila, S. Kubatkin, M. Bechelany, D. Erts), sagatavots un iesniegts publicēšanai.

2. Zinātniskais raksts “Bi2Se3 thin film interaction with water vapor as a function of relative humidity, surface properties and level of porosity determined by electrochemical impedance spectroscopy" (autori D. Erts, J. Katkēvičs, M. Sjomkāne, J. Andžāne, A. Vīksna, R. Meija), sagatavots un iesniegts publicēšanai.

3. Kopā ar projekta partneri  RTU – publicēts zinātniskais raksts “Electrical and Mechanical Properties of Melt-Processed Polyethylene Terephthalate/Multi-Wall Carbon Nanotube Nanocomposites for Thermoelectric Materials” (autori J. Bitenieks, R. Merijs Meri, J. Zicāns, M. Kalniņš, J. Andžāne, K. Buks) publicēts žurnālā Mechanics of Composite Materials (Mech Compos Mater (2018) 54: 457. https://doi.org/10.1007/s11029-018-9755-3)

4. Stenda referāts “Tailoring of thermoelectric properties of Bi2Se3 thin films by adjustment of dopant concentration” (autori J. Andžāne, M. N. Strakova, D. Erts) prezentēts starptautiskajā konferencē FM&NT 2018 Rīgā, 02.05.10.2018.

5. Stenda referāts “Characterization of conductive PEDOT:PSS films blended with SWCNTs and PVA” (autori G. Vugule, J. Bitenieks, J. Zicāns, R. Merijs-Meri, T. Ivanova, D. Erts, K. Buks) prezentēts starptautiskajā konferencē FM&NT 2018 Rīgā, 02.05.10.2018.

Publicēts 23.11.2018.

01.12.2018. – 28.02.2019.

Projekta vidusposma rezultāti ieguva pozitīvu starptautisko ekspertu vērtējumu.

Turpinās dopētu plānu un ultraplānu Bi2Se3 kārtiņu un kompozītmateriālu elektronu transporta un termoelektrisko īpašību izpēte temperatūru diapazonā 1.8-400 K. Izstrādāta metode p-tipa (Sb2Te3) ultraplānu kārtiņu iegūšanai. Notiek  mehāniskās pārneses metodes optimizācija plānu un ulptraplānu kārtiņu pārnešanai uz citām virsmām bez to īpašību degradācijas.

Par projekta rezultātiem publicēti divi zinātniskie raksti un viens raksts iesniegts publicēšanai:

1. Zinātniskais raksts “Effect of graphene substrate type on formation of Bi2Se3 nanoplates” (autori J.Andžāne, L. Britāla, E. Kauranens, A. Nečiporenko, M. Baitimirova, S. Lara-Avila, S. Kubatkin, M. Bechelany, D. Erts), ir akceptēts publicēšanai zinātniskajā žurnālā Scietific Reports.

2. Zinātniskais raksts “Structure-determined thermoelectric properties of Bi2Se3 thin films deposited by vapour-solid technique” (autori J. Andžāne, K. Buks, M. Zubkins, M. Bechelany, M. Marnauza, M. Baitimirova, D. Erts) ir nopublicēts 2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) konferenču rakstu krājumā, pp. 1-5, DOI: 10.1109/NANO.2018.8626225

3. Zinātniskais raksts “Structure and doping determined thermoelectric properties of Bi2Se3 thin films deposited by vapour-solid technique” (autori J. Andžāne, K. Buks, M. N. Strakova, M. Zubkins, M. Bechelany, M. Marnauza, M. Baitimirova, D. Erts) ir sagatavots un iesniegts publicēšanai žurnālā IEEE Transactions on Nanotechnology.

Projekta rezultāti tika prezentēti LU 77. Staptautiskajā zinātniskajā konferencē:

  1. K. Buks, J. Katkēvičs, J. Bitenieks, J. Andžāne, J. Zicāns, D. Erts “PEDOT:PSS/Bi2Se3/CNT kompozītmateriālu elektrisko un termoelektrisko īpašību raksturošana”
  2. E. Kauranens, J. Andžāne, L. Britāla, A. Nečiporenko, M. Baitimirova, D. Erts “Bi2Se3 nanoplāksnīšu veidošanās uz CVD grafēna substrātiem, pielietojot fizikālo tvaiku nogulsnēšanas metodi”

Publicēts 21.02.2019.

01.03.2019. – 31.05.2019.

Izstrādāti pirmo termoelektrisko siltuma pārveides elektrībā ierīču prototipi divās konfigurācijās: ar horizonālu (gar termoelektriskā materiāla pārklājumu, 1. konfigurācija) un vertikālu (caur termoelekktriskā materiāla pārklājumu, 2. konfigurācija) siltuma plūsmu. 1. konfigurācijas ierīces prototipa izveidei tika pielietota mehāniskās pārneses metode, savukārt, 2. konfigurācijas ierīces prototipa izveidei tika pielietota secīgu sintēžu metode uz grafēna virsmas un specifiskā dopēšana.

Zinātniskais raksts “Effect of graphene substrate type on formation of Bi2Se3 nanoplates” (autori J.Andžāne, L. Britāla, E. Kauranens, A. Nečiporenko, M. Baitimirova, S. Lara-Avila, S. Kubatkin, M. Bechelany, D. Erts) ir publicēts Open Access zinātniskajā žurnālā Scietific Reports.

Publicēts 22.05.2019.

01.06.2019. – 31.08.2019.

Apkopoti eksperimentālie dati par 5-25 nm plānu bismuta selenīdu kārtiņu sintēzi, topoloģiskām un termoelektriskām īpašībām. Rezultāti izanalizēti un izmantoti zinātniskā raksta “Deposition and enhanced thermoelectric properties of ultrathin topological insulator films” manuskripta sagatavošanā.

Notika  termoelektrisko ierīču, balstītu uz ultraplānām kārtiņām, veidošana, kā arī veikti  termoelektriski  ģenerēta sprieguma mērījumi. Izmantojot eksperimentālos datus, tika veikti aprēķini ierīču konfigurācijas optimizācijai (ultraplānu kārtiņu biezums, garums un platums, to skaits, elektrisku kontaktu izvietojums). Turpinās eksperimenti, kas saistīti ar magnētisko dopantu ieviešanu plānās un ultraplānās kārtiņās.

Projekta rezultāti prezentēti Polijā, Poznaņā starptautiskā konferencē “Nanotech Poland 2019” ar uzaicināto referātu “Study of topological insulators (Bi,Sb)2(Se,Te)3 for practical applications”.

Publicēts 19.08.2019.

1.09.2019. – 30.11.2019.

Turpinās darbs pie termoelektrisko ierīču prototipu izveides un optimizācijas (plānu un ultraplānu kārtiņu ģeometrija, skaits, izvietojums, iekapsulēšana īpašību stabilitātes nodrošināšanai). Lai palielinātu dopantu koncentrāciju plānās kārtiņās, šobrīd tiek testēta izstrādātā metode magnētisko dopantu lokālai karsēšanai (līdz 2000 oC) plānu un ultraplānu kārtiņu izgulsnēšanai laikā. Apkopoti un analizēti eksperimentālie rezultāti par oglekļa nanocaurulīšu-termoelektrisko materiālu (CNT-TE) heterostruktūru termoelektriskām īpašībām atkarībā no šo materiālu attiecības heterostruktūrās. Dati tiek izmantoti zinātniskā raksta “Vapour-solid fabrication and thermoelectric properties of CNT-bismuth and antimony chalcogenide heterostructures” manuskripta sagatavošanā. CNT-TE heterostruktūras tiek izmantotas kā pildviela termoelektrisku kompozītmateriālu izgatavošanai uz elektriski vadošo un nevadošo polimēru pamata (piedalās projekta partneris - RTU). Sadarbībā ar RTU tiek gatavots Latvijas patenta pieteikums par termoelektriskus materiālus saturošo kompozītmateriālu izveidi.

Projekta rezultāti tika prezentēti sekojošās starptautiskās konferencēs:

17th European Conference on Thermoelectrics (ECT 2019), Limassola, Kipra, 2019. gada 23.-25. septembris,

1. K. Buks, J. Andzane, J. Katkevics, D. Erts “Fabrication and characterization of bismuth and antimony chalcogenide and CNT heterostructures”, stenda referāts

2. E. Kauranens, L. Britala, M. N. Strakova, J. Andzane, D. Erts “Initial stages of formation, growth and thermoelectrical performance of bismuth selenide thin films deposited on different substrates by physical vapour deposition technique”, stenda referāts

9th International Conference on Nanomaterials: Applications&Properties ‘2019, Odesa, Ukraina, 2019. gada 15.-20. septembris

D. Erts, J. Andzane, G. Kunakova, F. Lombardi “Advances of bismuth chalcogenide topological insulators for thermoelectrical and sensor applications”, uzaicinātais referāts

Publicēts 15.11.2019.

01.12.2019. – 29.02.2020.

Projekts ir noslēdzies 2020. gada 29. februārī. Projekta galvenie rezultāti – termoelektrisko ierīču prototipu izveide - ir sasniegti.

1. Izveidoti un noraksturoti uz ultraplānām bismuta un antimona halkogenīdu kārtiņām divu termoelektrisku ierīču prototipi. Noteikts, ka izveidoto prototipu īpašības ir salīdzināmas ar state-of-the-art termoelektriskām ierīcēm, balstītām uz daudz biezākām kārtiņām. Ņemot vērā ultraplāno kārtiņu lielo integrācijas pakāpi, projekta laikā attīstītās tehnoloģijas ir perspektīvi pielietojamas jaunās paaudzes termoelektrisko ierīču izveidē.

2. Izveidots un noraksturots lokanās termoelektriskās ierīces prototips, kura pamatā ir oglekļa nanocaurulīšu-termoelektrisku materiālu heterostruktūras saturošie kompozītmateriāli uz polimēru bāzes. Ierīces prototipa darbība ir labāka salīdzinājumā ar state-of-the-art lokanām termoelektriskām ierīcēm.

3. Ir sagatavotas un iesniegtas zinātniskajos žurnālos 5 zinātniskās publikācijas:

  • K. Buks, J. Andzane, K. Smits, J. Zicans, J. Bitenieks, A. Zarins, D. Erts “Fabrication and Thermoelectric Properties of CNT-Bi2Se3 and CNT-Sb2Te3 Hybrid Networks for Flexible Thermoelectrics”, iesniegts žurnālā Applied Materials Today;
  • J. Andzane, U. Malinovskis, E. Kauranens, A. Felsharuk, M. Bechelany, D. Erts “Thickness-dependent thermoelectric properties of PVD ultrathin topological insulator films for application in thermoelectric generators”, papildināts un iesniegts atkārtoti žurnālā Nano Letters;
  • K. Niherysh, J. Andzane, M. M. Mikhalik, F. Lombardi, S. M. Zavadsky, P. L. Dobrokhotov, S. L. Prischepa, I. V. Komissarov, D. Erts “Interplay between strain and carrier concentration in Raman spectra of various thicknesses Bi2Se3 films epitaxially grown in single layer CVD graphene”, iesniegts žurnālā 2D Materials;
  • J. Bitenieks, K. Buks, R. Merijs-Meri, J. Andzane, T. Ivanova, V. Voikiva, E. Erts, J. Zicans “Fabrication and properties of n- and p-type polymer-based thermoelectric composites with MWCNT-metal chalcogenides hybrid structures as fillers for application in flexible thermoelectric devices”, iesniegts žurnālā Journal of Materials Chemistry A;
  • J. Katkevics, M. Sjomkane, J. Andzane, K. Smits, A. Viksna, R, Meija, D. Erts “EIS characterization of ageing and humidity-related behaviour of Bi2Se3 films of different morphologies”, papildināts un iesniegts atkārtoti žurnālā Electrochimica Acta.

4. Sagatavoti un iesniegti 2 Latvijas patentu pieteikumi:

  • “Vadoša n-tipa termoelektriskā kompozīta sastāvs un iegūšana”, reģ. nr. P-20-16;
  • “Vadošu polimeru kompozītu sastāvs un iegūšana”, reģ. nr. P-20-17

5. Izstrādātas 3 tehnoloģiskās instrukcijas:

  • “Ultraplānu TE materiālu pārklājumu iegūšana uz dažādām virsmām”
  • “TE ierīces, kurā siltuma plūsma tiks virzīta perpendikulāri TE pārklājuma virsmām (vertikāli), izveide”
  • “TE ierīces, kurā siltuma plūsma tiks virzīta gar TE pārklājuma virsmām (horizontāli), izveide”

6. Projekta rezultāti ir prezentēti sekojošās starptautiskās konferencēs:

  • J. Kosmaca, J. Andzane, L. Jasulaneca, G. Kunakova, R. Meija, D. Erts “Synthesis, characterization and applications of bismuth selenide nanostructures”, stenda referāts, IV International Caparica Symposium on Nanoparticles/Nanomaterials and Applications 2020, 20.-23.01.2020., Caparica, Portugāle

Latvijas Universitātes 78. starptautiskā zinātniskā konferencē sekojošos mutiskos referātos:

  • J. Andžāne, J. Prikulis, D. Erts “Nanomaterials for application in metrology, thermoelectrics, and sensors”;
  • E. Kauranens, J. Andžāne, U. Maļinovskis, K. Niherysh, A. Felsharuk, D. Erts “Bismuta selenīda un antimona telurīda planu kārtiņu termoelektrisko ģeneratoru izgatavošana un raksturošana/Fabrication and characterization of bismuth selenide and antimony telluride thin film thermoelectric generators”;
  • A. Felsharuk, K. Niherysh, J. Andžāne, L. Britāla, D. Erts “Ultraplāno Sb2Te3 un Bi2Se3 kārtiņu sintēze uz dažādiem substrātiem/Synthesis of ultrathin Sb2Te3 and Bi2Se3 films on different substrates”;
  • K. Buks, J. Andžāne, J. Bitenieks, J. Zicāns, D. Erts “PVS/Bi2Se3/MWCNT un PEDOT:PSS/Sb2Te3/MWCNT nanokompozītu termoelektriskās īpašības/Thermoelectric properties of PVA/Bi2Se3/MWCNT and PEDOT:PSS/Sb2Te3/MWCNT nanocomposites”.

Publicēts 02.03.2020.

Pēdējās izmaiņas veiktas