Daudzslāņu silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem

Projekta nosaukums: Daudzslāņu silīcija nanokondensators ar uzlabotiem dielektriskiem slāņiem

Projekta līguma numurs: 1.1.1.1/16/A/203

Projekta vadošais partneris: Rīgas Tehniskā universitāte

Projekta sadarbības partneri:

Latvijas Universitāte
Pusvadītāju ierīču rūpnīca AS “ALFA RPAR”

Projekta īstenošanas termiņš: 01.03.2017.–29.02.2020. (36 mēneši)

Projekta kopējais finansējums, LU daļa: 648 605.05 EUR, LU daļa – 211 190.59 EUR.

Projekta zinātniskais vadītājs: profesors, Dr.habil.phys. Jurijs Dehtjars

Projekta LU zinātniskās grupas vadītājs: Dr.chem. Gunta Ķizāne

Projekta administratīvais vadītājs: Laureta Buševica

Projekta mērķis: Apvienot industrijas un zinātnes speciālistus kopīgā pētījumā veikšanai un iegūstot jaunas zināšanas, izstrādāt nanokondensatora dielektrisko slāņu izgatavošanas tehnoloģiju, kas ir inovatīva un samazina nanokondensatora ražošanas izmaksas, lai rezultātā palielinātu Latvijas ekonomikas zināšanietilpību, konkurētspēju un veicinātu Latvijas ekonomikas ilgtspējīgu attīstību.

Projekta kopsavilkums: Nanokondensatoru (NC) ražošanas tirgus strauji attīstās un uzturēs attīstības tempu vismaz nākamus 10 gadus. Pieaug pieprasījums pēc termiski stabiliem un pret starojumu noturīgiem NC. NC izgatavošanai plaši izmanto uz silīcija balstītas tehnoloģijas. Latvijas ražotāju ienākšana NC ražošanas tirgū var palielināt Latvijas ekonomikas apgrozījumu par vismaz 0.23-10 MEUR katras 3-4 nedēļas. NC dielektrisko slāni visbiežāk iegūst, saliekot kopā vairākus Si₃N₄ (N) nanoslāņus, un ietverot tos no abām pusēm ar SiO₂ (O), tā veidojot ON…NO struktūru. N…N slāņus iegūst vairākos tehnoloģiskos reaktoros. NC ražošanas izmaksas var samazināt, iegūstot N…N slāņus vienā reaktorā. Tiks īstenots nesaimniecisks sadarbības projekts, kura ietvaros tiks veikts rūpniecisks pētījums.

Projekta galvenie rezultāti: