Nanoslāņaini topoloģisku dielektriķu lamināti efektīvai siltuma pārvēršanai elektrībā

Projekta nosaukums: Nanoslāņaini topoloģisku dielektriķu lamināti efektīvai siltuma pārvēršanai elektrībā
Projekta līguma numurs:     1.1.1.2/VIAA/1/16/037
Projekta sadarbības partneri: Čalmera tehnoloģiskā universitāte, Mikrotehnoloģiju un nanozinātnes departaments MC2, Zviedrija
Projekta īstenošanas termiņš: 01. 12. 2017. – 30. 11. 2020.
Projekta kopējais finansējums, LU daļa: Projekta kopējas izmaksas 133806.-EUR, kuras sastāv no ERAF finansējuma 113735.10 EUR (85%), valsts budžeta finansējuma 13380.60 EUR (10%), LU finansējums (tajā skaitā ieguldījums natūrā) 6690.30 EUR (5%).
Projekta mērķis: Projekta mērķis ir izstrādāt tehnoloģiju paaugstinātas TE efektivitātes nanoslāņainu bismuta halkogenīdu laminātu iegūšanai, un izveidot uz šiem laminātiem balstītas TE ierīces. TE efektivitātes paaugstināšana tiks sasniegta pateicoties bismuta halkogenīdu specifiskai dopēšanai un to nesen atklāto topoloģisko dielektriķu (TI) īpašību izmantošanai.
Projekta plānotie rezultāti: 3 oriģināli zinātniskie raksti, kas iesniegti publicēšanai SCI žurnālos, 3 jaunas tehnoloģijas, 1 jaunais siltuma konversijas elektrībā ierīces prototips, 1 sagatavots un iesniegts Latvijas patenta pieteikums, vismaz 3 konferenču tēzes.

I ceturksnis (01.12.2017. – 28.02.2018.)

Pirmā projekta ceturkšņa laikā tika veikta padziļinātā bismuta selenīda nukleācijas un augšanas mehānismu uz dažādām virsmām izpēte un analīze un sintēzes metodes adaptācija sintēzei uz mākslīgas vizlas. Tiek gatavots zinātniska raksta melnraksts. Darba brauciena laikā no 05.02.2018. līdz 09.02.2018. Čalmera tehnoloģiskā universitātē (CTH) Zviedrijā, tika izstrādāta metode labu elektriski un termiski vadošu kontaktu izveidei, kas ir nepieciešams pārklājumu termoelektrisko īpašību kvalitatīvai raksturošanai. 

II ceturksnis (01.03.2018. – 31.05.2018.)

Otrā projekta ceturkšņa laikā darbs turpinājās sekojošos virzienos: turpinājās datu analīze par bismuta selenīda nukleācijas un augšanas mehānismiem uz dažādām virsmām, kā arī veikti papildus eksperimenti sintēzes parametru ietekmes uz augšanas procesu noskaidrošanai. Sintezēti pirmie ultraplani bismuta selenīda pārklājumi uz mākslīgās vizlas, to īpašības tiek pētītas un salīdzinātas ar biezāku (ap 100 nm) bismuta selenīda pārklājumu īpašībām; veikti bismuta selenīda izgulsnēšanas eksperimenti uz eksfoliēta grafēna virsmas; uzsākta sintēzes optimizācija bismuta telurīda pārklājumu sintēzei uz mākslīgās vizlas virsmas; veikti eksperimenti bismuta selenīda pārklājumu mehāniskās stabilitātes noteikšanai.

Galvenie rezultāti:

• Tēzes dalībai IEEE Nano 2018 konferencē ir iesniegtas un akceptētas mutiskam referātam;
• Ultraplānu pārklājumu elektronu transporta īpašību un Sībeka koeficienta salīdzinājums ar biezāku pārklājumu īpašībām pārādīja, ka ultraplāniem pārklājumiem ir lielāks termoelektriskais jaudas faktors;
• Iegūti un tiek raksturoti pirmie bismuta telurīda plānie pārklājumi ar atbilstošu stehiometriju;
• Bismuta selenīdu pārklājumu stabilitātes izpēte parādīja, ka pārklājumu elektriskās un termoelektriskās īpašības pasliktinās ar laiku, kas var liecināt par mikroplaisu veidošanos uz lokanas pamatnes sintezēta pārklājumā mērīšanas vai citu manipulāciju laikā. Ir iesākta metožu izstrāde lokanu pamatņu fiksācijai vai pārklājuma pārnesei uz cietu pamatni.

III ceturksnis (01.06.2018. – 31.08.2018.)

Trešā projekta ceturkšņa laikā turpinājās darbs sekojošos virzienos: lokanu substrātu piestiprināšanas metodikas izstrāde, paralēli izstrādājot metodi ultraplānu bismuta selenīda pārklājumu sintēzei vienlaicīgi uz lokanā substrāta un pa tiešo uz amorfā kvarca virsmas; iepriekš sintezētu bismuta telurīda pārklājumu izpēte; datu par bismuta selenīda izgulsnēšanu uz eksfoliēta grafēna virsmas un iespēju izmantot eksperimentos ar citām metodēm iegūtu grafēnu analīze.

Galvenie rezultāti:

• Zinātniskais raksts “Structure-determined thermoelectric properties of Bi₂Se₃ thin films deposited by vapour-solid technique” ir sagatavots un iesniegts publicēšanai IEEE konferenču rakstu krājumā.
• Projekta rezultāti tika prezentēti konferencē 18. IEEE Starptautiskā Nanotehnoloģiju Konferencē (IEEE Nano 2018 – the 18th IEEE International Conference on Nanotechnology)  mutiskā referāta veidā (“Vapour-solid deposition and enhanced thermoelectric properties of nanostructured bismuth selenide films”)
• Tika sintezēti pirmie vizuāli viendabīgie bismuta selenīda un bismuta telurīda pārklājumi uz amorfā kvarca virsmas. Notiek šo pārklājumu stehiometrijas, morfoloģijas, biezuma, elektrisku un termoelektrisku īpašību izpēte.
• Iepriekš iegūto bismuta telurīda pārklājumu izpēte parādīja, ka pārklājumi ir stehiometriski, bet to biezums ir 40-50 nm vai lielāks; tuprinās sintēzes procesa optimizācija. Notiek sintezēto pārklājumu elektrisku un termoelektrisku īpašību izpēte.

IV ceturksnis (01.09.2018. – 30.11.2018.)

Ceturtajā projekta ceturkšņa laikā darbs turpinājās sekojošos virzienos:

Kontrolētai dopantu ieviešanai bismuta halkogenīdu plānās kārtiņās, veikti eksperimenti ar bismuta selenīda plānu kārtiņu dopēšanu ar alvu (Sn) un varu (Cu). Izstrādāta ultraplānu bismuta selenīda kārtiņu sintēzes metode uz vizlas un kvarca virsmām. Veikti secīgu sintēžu eksperimenti. Uz 6 nm biezas bismuta selenīda plānas kārtiņas (uz vizlas virsmas) ir uzsintezēta bismuta telurīda plāna kārtiņa, pielietojot optimizētus sintēzes parametrus. Sintezētu kārtiņu biezuma, morfoloģijas, elektrisku un termoelektrisku īpašību izpēte parādīja ka kopējais plānu kārtiņu biezums ir 8.5 nm, un ka secīgi uzsintezētu kārtiņu elektriskā vadāmība un termoelektriskais jaudas factors pieaug salīdzinājumā ar bismuta selenīda ultraplanu kārtiņu.

Galvenie rezultāti:

•  Sintezētas un izpētītas  bismuta selenīda plānas kārtiņas ar Sn koncentrācijām no 1 līdz 11% un Cu koncentrācijām no 0.1 līdz 1%.

•  Sintezētu bismuta selenīda plānu kārtiņu biezums ir robežās no 6 līdz 10 nm, un to termoelektriskais jaudas faktors ir (1.5 – 3.5)·10^-4 W/m·K², kas ir līdzīgs labas kvalitātes bismuta selenīda plānām kārtiņām sintezētām ar dārgām (MBE) metodēm.

• Ir sagatavota secīgu sintēžu tehnoloģiskā instrukcija “Technological instruction for obtaining of thin (below 10 nm) Bi₂Te₃ film on the surface of thin (below 10 nm) Bi₂Se₃ film used as a substrate.

•  Eksperimentālie rezultāti par bismuta selenīda plānu kārtiņu dopēšanu ar Sn un Cu ir prezentēti stenda referātā “Tailoring of Thermoelectric Properties of Bi2Se3 Thin Films by Adjustment of Dopant Concentration” starptautiskajā konferencē FM&NT 2018 (Funkcionālie materiāli un Nanotehnoloģijas), Rīgā, 02.-05.10.2018.

• Projekta pašreizējie rezultāti prezentēti un apspriesti Apvārsnis 2020 projekta HiTIMe (High Frequency Topological Insulator devices for Metrology/Augstfrekvences topoloģisku dielektriķu ierīces metroloģijai), kuram ir sinerģija ar īstenoto projektu,  ikgadējā sanāksmē. Apspriedes rezultātā tika iegūtas jaunās zināšanas par bismuta halkogenīdu topoloģiskām īpašībām un to ietekmi uz minēto materiālu elektrisku un termisku vadītspēju un, ka rezultātā, uz termoelektrisku efektivitāti. Iegūtas zināšanas sekmēs projekta veiksmīgu īstenošanu un augstās kvalitātes kopīgu publikāciju sagatavošanu. 

V ceturksnis (01.12.2018. – 28.02.2019.)

Piektajā projekta ceturkšņa laikā darbs turpinājās sekojošos virzienos:

Ultraplānu bismuta halkogenīdu kārtiņu secīgās sintēzes (divi un trīs slāņi) un to ķīmisko (sastāvs, kristāliskā struktūra) un fizikālo (topoloģisko un termoelektrisko) īpašību izpēte temperatūru diapazonā 2-400 K; sintēzes metodes izstrāde p-tipa ultraplānu kārtiņu iegūšanai; Sn un Cu dopapnu kontrolēta ieviešana ultraplānās kārtiņās.

Galvenie rezultāti:

• Zinātniskais raksts “Structure-determined thermoelectric properties of Bi₂Se₃ thin films deposited by vapour-solid technique” ir nopublicēts konferences IEEE Nano 2018 rakstu krājumā (DOI: 10.1109/NANO.2018.8626225).

• Zinātniskais raksts “Structure and doping determined thermoelectric properties of Bi₂Se₃ thin films deposited by vapour-solid technique”, ir sagatavots un iesniegts žurnālā IEEE Transactions on Nanotechnology.

• Zinātniskais raksts "Effect of graphene substrate type on formation of Bi₂Se₃ nanoplates" (iesniegts publicēšanai žurnālā Scientific Reports 2018. gada oktobrī) ir akceptēts publicešanai.

VI ceturksnis (01.03.2019. – 31.05.2019.)

Sestajā projekta ceturkšņa laikā darbs turpinājās sekojošos virzienos:

Divslāņu bismuta halkogenīdu nanostruktūra ar kopējo biezumu 8 nm, kura sastāv no secīgi sintezētām bismuta selenīda (6 nm) un bismuta tellurīda (2 nm) ultraplānām kārtiņām, parādīja  ievērojami palielinātu termoelektrisko jaudas faktoru un elektrisko vadāmību (mērījumi veikti projekta Partnera institūcijā – Čalmera Tehnoloģiskajā Universitātē) salīdzinājumā ar līdzīgā biezuma bismuta selenīda ultraplānām kārtiņām, sintezētām gan ar fizikālo tvaiku nogulsnēšanas metodi, gan ar molekulārā stara epitaksijas metodi, kas pierāda pētniecības pieteikumā izvirzīto mērķu ticamību un gala rezultātu sasniedzāmību. Izmantojot secīgo sintēžu metode, ir uzsintezēts trīsslāņu nanolamināts uz grafēna virsmas. Nanolamināts sastāv no bismuta selenīda ultraplānām kārtiņām (vidējā kārtiņa ir dopēta ar Sn), kopējais nanolamināta biezums 30 nm. Notiek nanolamināta morfoloģijas, struktūras, elektrisku un termoelektrisku īpašību izpēte.

Galvenie rezultāti:

• Zinātniskais raksts “Deposition and enhanced thermoelectric properties of ultrathin topological insulator films” ir sagatavots sinerģijā ar ERAF projektu Nr. 1.1.1.1/16/A/257 un iesniegts publicēšanai žurnālā Advanced Functional Materials.

VII ceturksnis (01.06.2019. – 31.08.2019.)

Sagatavota un iesniegta izvērtēšanai projekta vidusposma atskaite.

Ņemot vērā projektā gaitā identificētos riskus (grūtības ar dopēšanu vajadzīgās koncentrācijās, ja dopantam ir augsta kušanas temperatūra), darbs turpinājās virzienos, kurri sekmēs risku mazināšanu:

• p-tipa pārklājumiem sintezētas antimona telurīda plānās kārtiņas (references paraugiem). Tiek pētītas šo kārtiņu struktūra, stehiometrija morfoloģija, elektriskās un termoelektriskās īpašības. Uzsākti eksperimenti antimona telurīda plānu kārtiņu dopēšanai ar sēru (S).
• n-tipa pārklājumiem tiek izstrādāta metode kontrolētai bismuta selenīda pārklājumu dopēšanai ar alvu (Sn) zemās koncentrācijās. Metodes pamatideja ir dopanta (alvas) daudzuma precīza kontrole, izmantojot termiskās un jonu putināšanas metodes.

Nanolamināti: veikti termoelektriskie mērījumi perpendikulāri virzītā siltuma plūsmā mehāniski savienotiem 3-slāņu nanolaminātiem, sintezētiem uz grafēna virsmas. Notiek eksperimentālo datu apstrāde un analīze. Turpinās secīgas sintēzes, lai iegūt n-tipa nanolaminātus ar slāņu skaitu lielāku par 3.

Secīgas sintēzes: ir saņemti piecu ārzemju recenzentu ieteikumi zinātniskā raksta “Deposition and enhanced thermoelectric properties of ultrathin topological insulator films” uzlabošanai. Uzsākti papildus eksperimenti raksta uzlabošanai.

VIII ceturksnis (01.09.2019. – 30.11.2019.)

Saņemts pozitīvs vērtējums par projekta vidusposma atskaiti.

Darbs turpinās sekojošos virzienos:

Dopēto pārklājumu sintēze: sintezētas p-tipa plānās kārtiņas, dopētas ar sēru (S) dažādās koncentrācijās, kā arī n-tipa plānās kārtiņas dopētas ar alvu (Sn) koncentrācijās 0.5, 1, 1.5 un 2%. Notiek kārtiņu elektrisku un termoelektrisku īpašību raksturošana optimālo dopantu koncentrāciju noteikšanai. Projekta patreizējie rezultāti prezentēti un apspriesti Apvārsnis 2020 projekta HiTIMe (High Frequency Topological Insulator devices for Metrology/Augstās frekvences topoloģisku dielektriķu ierīces metroloģijai) organizētajā darba seminārā mutiskā referātā "Doping of nanostructured bismuth and antimony chalcogenide thin and ultrathin films for improvement of their thermoelectric efficiency", 31.10.-03.11.2019., Iskija, Itālija.

Secīgas sintēzes: Notiek elektrisku un termoelektrisku īpašību statistiskie mērījumi secīgi sintezētiem dažādu biezumu bismuta selenīda/bismuta telurīda pārklājumiem temperatūru intervālā no 2K līdz 350K. Secīgi sintezēti pirmie antimona telurīda/S-dopēta antimona telurīda pārklājumi. Iesākta šo pārklājumu īpašību izpēte.

IX ceturksnis (01.12.2019. – 29.02.2020.)

Darbs turpinājās sekojošos virzienos:

Dopēto pārklājumu sintēze: noteiktas optimālās sēra koncentrācijas p-tipa plānās kārtiņās, izstrādāta ātrās dzesēšanas metode precīzai dopanta koncentrācijas kontrolei kārtiņā. Dopētas n- un p-tipa plānās kārtiņas sintezētas uz elektriski nevadošās (vizla) un elektriski vadošas (grafēna monoslānis pamatnes). Veikta lādiņnesēju pārneses uz grafēna-plānās kārtiņas interfeisa analīze. Notiek darbs pie tehnoloģiskās instrukcijas par n- un p-tipa dopēto plānu kārtiņu sintēzi sagatavošanas.

Secīgas sintēzes, nanolaminātu izveide: Bismuta selenīda/Bismuta telurīda pārklājumu statistiskie mērījumi parādīja, ka termoelektriskās efektivitātes uzlabošana vislabāk ir izteikts pārklājumiem, kuru kopējais biezums nepārsniedz 10-15 nm.  Notiek elektrisku un termoelektrisku īpašību mērījumi secīgi sintezētiem antimona telurīda/S-dopēta antimona telurīda pārklājumiem. Ir sintezēti pirmie p-tipa nanolamināti, kuri sastāv no trim slāņiem (antimona telurīds/ar sēru dopēts antimona telurīds/antimona telurīds), ir iesākta izveidota nanolamināta morfoloģijas (slāņu biezums, kopējais biezums, virsmas raupjums), elektrisku un termoelektrisku īpašību izpēte.

Prototipa izveide: ir izstrādāta elektrodu izveides shematika priekš prototipa, kurā siltuma plūsma tiks virzīta perpendikulāri nanolamināta slāņiem.

Projekta rezultāti prezentēti Latvijas Universitātes 78. Starptautiskā zinātniskā konferencē:

J. Andžāne, J. Prikulis, D. Erts “Nanomateriāli pielietojumiem termoelektrikā / Nanomaterials for application in thermoelectrics”, 18.02.2020., plenārsēde “Nano, kvantu tehnoloģijas un inovatīvi materiāli”, mutisks referāts.

Zinātniskie raksti:

K. Buks, J. Andzane, K. Smits, J. Zicans, J. Bitenieks, A. Zarins, D. Erts. Fabrication and Thermoelectric Properties of CNT-Bi₂Se₃ and CNT-Sb₂Te₃ Hybrid Networks for Flexible Thermoelectrics, sagatavots sinerģijā ar ERAF projektu Nr. 1.1.1.1/16/A/257, iesniegts;

J. Andzane, U. Malinovskis, E. Kauranens, A. Felsharuk, M. Bechelany, D. Erts. Thickness-dependent thermoelectric properties of PVD ultrathin topological insulator films for application in thermoelectric generators, papildināts sinerģijā ar ERAF projektu Nr. 1.1.1.1/16/A/257 un iesniegts atkārtoti.

X ceturksnis (01.03.2020. – 31.05.2020.)

Darbs turpinājās sekojošos virzienos:

Dopēto pārklājumu sintēze: ir izstrādāta tehnoloģiskā instrukcija n- un p-tipa dopēto ultraplānu kārtiņu sintēzei.

Secīgas sintēzes, nanolaminātu izveide: pabeigta 3-slāņu p-tipa nanolamināta raksturošana, notiek eksperimentālo datu analīze. Tiek veidots 5-slāņu p-tipa nanolamināts (Sb2Te3/Sb2Te3+S/Sb2Te3/Sb2Te3+S/Sb2Te3).

Prototipa izveide: notiek darbs pie prototipa demonstrācijas stenda izstrādes.

Zinātniskie raksti:

K. Buks, J. Andzane, K. Smits, J. Zicans, J. Bitenieks, A. Zarins, D. Erts. Growth mechanisms and related thermoelectric properties of innovative hybrid networks fabricated by direct deposition of Bi2Se3 and Sb2Te3 on multiwalled carbon nanotubes”, sagatavots sinerģijā ar ERAF projektu Nr. 1.1.1.1/16/A/257, iesniegts žurnālā Materials Today Energy, izgāja recenzentu izvērtēšanu un tiek uzlabots pirms akceptēšanas.

J. Andzane, U. Malinovskis, E. Kauranens, A. Felsharuk, M. Bechelany, D. Erts. Thickness-dependent thermoelectric properties of PVD ultrathin topological insulator films for application in thermoelectric generators, papildināts sinerģijā ar ERAF projektu Nr. 1.1.1.1/16/A/257 un iesniegts atkārtoti žurnālā Journal of Materials Chemistry C.

XI ceturksnis (01.06.2020. – 31.08.2020.)

Darbs turpinājās sekojošos virzienos:

Secīgas sintēzes, nanolaminātu izveide: Notiek sintezēto uz vizlas un grafēna 5-slāņu p-tipa (Sb2Te3/(Sb2Te3+S)/Sb2Te3/(Sb2Te3+S)/Sb2Te3) nanolaminātu raksturošana (morfoloģija, virsmas raupjums, biezums, elektriskā vadītspēja, Sībeka koeficients). Tiek izstrādāta tehnoloģiskā instrukcija n- un p-tipa nanolaminātu iegūšanai.

Prototipa izveide: Izveidots stends prototipu darbības raksturošanai un demonstrēšanai, notiek darbs pie stenda sildīšanas elementu kalibrācijas.

Zinātniskie raksti:

K. Buks, J. Andzane, K. Smits, J. Zicans, J. Bitenieks, A. Zarins, D. Erts. Growth mechanisms and related thermoelectric properties of innovative hybrid networks fabricated by direct deposition of Bi2Se3 and Sb2Te3 on multiwalled carbon nanotubes”, sagatavots sinerģijā ar ERAF projektu Nr. 1.1.1.1/16/A/257, akceptēts publicēšanai žurnālā Materials Today Energy, un publicēts online šeit: www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468606920301453

Konferences:

Projekta rezultāti ir prezentēti konferencē "22. starptautiskā konference-skola "Viedie materiāli un tehnoloģijas 2020." (22-nd International conference-school "Advanced Materials and Technologies 2020", Palanga, Lietuva, 24.-28.08.2020.) uzaicinātas mutiskas lekcijas-prezentācijas "Unusual Properties of Conventional Materials: Topological Insulators for Thermoelectrics and Metrology" ("Parasto materiālu neparastas īpašības: Topoloģiskie izolatori termoelektrikai un metroloģijai"),kuru nolasīja pēcdoktorante, ietvaros.

XII ceturksnis (01.09.2020. – 30.11.2020.) – noslēguma

Projekts ir noslēdzies 2020. gada 30. novembrī. Projekta galvenie rezultāti – nanolaminātu iegūšanas tehnologijas izstrāde un uz nanolaminātiem balstītas siltuma konversijas elektrībā termoelektriskās ierīces prototipa izveide - ir sasniegti.

Projekta noslēguma ceturksnī ir paveikts sekojošais:

1. Izstrādāta tehnoloģiskā instrukcija n-tipa un p-tipa daudzslāņu nanolaminātu iegūšanai (katra slāņa biezums ~10 nm) ar vienkāršo un ekonomiski izdevīgo fizikālo tvaiku nogulsnēšanas metodi.
2. Izveidots un noraksturots uz nanolaminātiem balstīts siltuma konversijas elektrībā termoelektriskās ierīces prototips, kurš var darboties divās konfigurācijās: kad siltuma plūsma tiek virzīta paralēli nanolaminātu slāņiem, un kad siltuma plūsma tiek virzīta perpendikulāri nanolaminātu slāņiem. Noteikts, ka atsevišķu nanolaminātu un ierīces prototipa termoelektriskā efektivitāte pārsniedz makromateriālu, ka arī atsevišķu plānu kārtiņu, un uz tiem balstītu ierīču, efektivitāti.
3. Sagatavots un iesniegts zinātniskajā žurnālā zinātniskais raksts “Bismuth and Antimony Chalcogenide Based Nanolaminates with Enhanced Thermoelectric Properties” (autori: J.Andžāne, A. Felšaruk, A. Šarakovskis, K. Niherysh, J. Gabrusenoks, D. Erts).
4. Sagatavots un iesniegts Latvijas Patentu valdē patenta pieteikums “Nanolaminātu iegūšanas paņēmiens no halkogenīdiem”, patenta pieteikuma reģ. Nr. LVP2020000085
5. Žurnālā “Ilustrētā Zinātne” (Decembris 2020 (181)) ir nopublicēts populārzinātniskais raksts “Nanolamināti ļauj taupīt enerģiju” par projekta tēmu, pētījumiem un sasniegtiem rezultātiem.
6. Projekta rezultāti ir prezentēti un apspriesti virtuālā starptautiskā zinātniskā konferencē “Materials Info 2020 Virtual Congress on Materials Science & Engineering” mutiskā prezentācijā “Topological insulator nanostructures for thermoelectrics”, 2020. gada 9.-10. novembrī.

Kopsavilkums par projekta rezultātiem.

Projekta īstenošanas periodā no 01.12.2017. līdz 30.11.2020. projekta rezultāti ir izmantoti 6 zinātniskās publikācijās, no kurām 5 ir nopublicētas un 1 ir iesniegta; izstrādātas 3 jaunās tehnoloģiskās instrukcijas; izstrādāts 1 jaunās termoelektriskās ierīces prototips; nopublicēts 1 populārzinātniskais raksts; projekta rezultāti prezentēti 4 starptautiskās zinātniskās konferencēs, 2 zinātniskos semināros, Eiropas Zinātnieku nakts pasākumos.